2014年國際記憶體研討會 (IEEE International MemoryWorkshop,簡稱IMW)將於今年5月18日至21日首度在台北晶華飯店舉辦，會中將討論近年來記憶體領域最關注的先進技術如3D NAND、PCRAM、MRAM、ReRAM等，並邀請美光、SanDisk、海力士等全球記憶體領導廠商共同與會。
傳統記憶體的應用範圍包括電腦中的RAM、行動通訊的NORFlash或固態硬碟SSD的NAND Flash等，但隨著雲端市場以及海量數據時代的興起，記憶體技術的層面逐漸轉進運用控制器強化以及智慧管理。這個契機，造就了記憶體另一波的需求潮，相對的也使的記憶體技術開發面臨更高的挑戰。記憶體的密度、效能、功耗、封裝及介面等性能，將再度被檢視，而可預期的，新的製程技術，運算機制以及新材料將一併被考慮並引入。
IMW平均每年有逾80篇以上的投稿論文，約35篇會在會議中以口頭方式發表，論文主題涵蓋元件物理、矽製程、產品測試和新技術。新技術包括新結構、新方法、程式邏輯、記憶體單元設計、積體電路、固態硬碟、記憶卡、可靠度和新應用等等。與會人士主要來自北美、歐洲、日本及亞洲等國家的高階經理人、研究學者或記憶體產品終端使用者，近年來與會人數已達到250人之規模。IMW已成為微電子專家及半導體從業人員都想積極參與的一場論壇。
IMW前身為Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop(NVSMW)非揮發性半導體記憶體研討會。該非營利組織於1976年舉行了首次會議。為了因應全球記憶體技術的急速發展，自2008年起與International Conference on MemoryTechnology and Design (ICMTD) 國際記憶體技術與設計研討會合併成為IMW，將揮發性及非揮發性記憶體等議題合併成為單一主題。
IMW接受IEEE國際電子元件會議贊助，於每年5月舉行年度會議。今年首度移師台灣，並由國際電機電子工程師學會中華民國分會 (IEEE Taipei Section)、電子元件學會台北分會(IEEE EDS Taipei Chapter)和旺宏電子協助會議在台承辦相關事務。
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